MJD117G和MJD117T4

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 MJD117G MJD117T4 MJD117

描述 ON SEMICONDUCTOR  MJD117G  单晶体管 双极, 达林顿, PNP, 100 V, 25 MHz, 1.75 W, 2 A, 12 hFESTMICROELECTRONICS  MJD117T4  单晶体管 双极, PNP, -100 V, 20 W, -2 A, 200 hFE互补达林顿功率晶体管 Complementary Darlington Power Transistors

数据手册 ---

制造商 ON Semiconductor (安森美) ST Microelectronics (意法半导体) ON Semiconductor (安森美)

分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 4 3 3

封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-252-3

额定电压(DC) -100 V -100 V -100 V

额定电流 -2.00 A -2.00 A -2.00 A

极性 PNP PNP PNP

耗散功率 1.75 W 20 W 20 W

击穿电压(集电极-发射极) 100 V 100 V 100 V

集电极最大允许电流 2A - 2A

最小电流放大倍数(hFE) 1000 @2A, 3V 1000 @2A, 3V 1000 @2A, 3V

最大电流放大倍数(hFE) 12000 - 12000

额定功率(Max) 1.75 W 20 W 1.75 W

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -65 ℃ -65 ℃ 65 ℃

增益带宽 25MHz (Min) 25MHz (Min) 25MHz (Min)

耗散功率(Max) 1750 mW 20000 mW 1750 mW

针脚数 4 3 -

直流电流增益(hFE) 12 200 -

无卤素状态 Halogen Free - -

输出电压 100 V - -

输出电流 2 A - -

热阻 71.4℃/W (RθJA) - -

输入电压 5 V - -

长度 6.73 mm 6.6 mm 6.73 mm

宽度 6.22 mm 6.2 mm 6.22 mm

高度 2.38 mm 2.4 mm 2.38 mm

封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-252-3

工作温度 -65℃ ~ 150℃ 150℃ (TJ) -65℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active Unknown

包装方式 Tube Tape & Reel (TR) Tube

最小包装 - - 2500

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant Non-Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Contains Lead

REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC -

REACH SVHC版本 2015/12/17 2015/12/17 -

ECCN代码 EAR99 EAR99 -

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