对比图
型号 STS11N3LLH5 STS9NF30L FDS8878
描述 STMICROELECTRONICS STS11N3LLH5 晶体管, MOSFET, N沟道, 11 A, 30 V, 0.0117 ohm, 10 V, 1 VN沟道30V - 0.015欧姆 - 9A型SO-8低栅电荷的STripFET功率MOSFET N-CHANNEL 30V - 0.015 ohm - 9A SO-8 LOW GATE CHARGE STripFET POWER MOSFETFAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDS8878 晶体管, MOSFET, N沟道, 10.2 A, 30 V, 0.011 ohm, 10 V, 2.5 V
数据手册 ---
制造商 ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体) Fairchild (飞兆/仙童)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 8 8 8
封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8
针脚数 8 - 8
漏源极电阻 0.0117 Ω 15.0 mΩ 0.011 Ω
极性 N-Channel N-Channel N-Channel
耗散功率 2.7 W 2.5W (Tc) 2.5 W
阈值电压 1 V - 2.5 V
漏源极电压(Vds) 30 V 30 V 30 V
输入电容(Ciss) 724pF @25V(Vds) 730pF @25V(Vds) 897pF @15V(Vds)
额定功率(Max) 2.7 W 2.5 W 2.5 W
工作温度(Max) 150 ℃ - 150 ℃
耗散功率(Max) 2.7W (Tc) 2.5W (Tc) 2.5W (Ta)
额定电压(DC) - 30.0 V 30.0 V
额定电流 - 9.00 A 10.2 A
漏源击穿电压 - 30.0 V 30.0 V
栅源击穿电压 - ±18.0 V ±20.0 V
连续漏极电流(Ids) - 9.00 A 10.2 A
上升时间 - 80.0 ns 29.0 ns
输入电容 - - 897 pF
栅电荷 - - 17.0 nC
工作温度(Min) - - -55 ℃
封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8
长度 - - 5 mm
宽度 - - 4 mm
高度 - - 1.5 mm
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Not Recommended for New Designs Not Recommended for New Designs Active
包装方式 Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT) Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC - No SVHC
REACH SVHC版本 2015/12/17 - 2015/06/15
ECCN代码 - - EAR99