对比图
型号 FDD044AN03L STD3NK60ZT4 STD15NF10T4
描述 N沟道PowerTrench MOSFET的 N-Channel PowerTrench MOSFETSTMICROELECTRONICS STD3NK60ZT4 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 2.4 A, 600 V, 3.3 ohm, 10 V, 3.75 VSTMICROELECTRONICS STD15NF10T4 晶体管, MOSFET, N沟道, 23 A, 100 V, 65 mohm, 10 V, 3 V
数据手册 ---
制造商 Fairchild (飞兆/仙童) ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 - 3 3
封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-252-3
额定电压(DC) 30.0 V 600 V 100 V
额定电流 35.0 A 2.40 A 23.0 A
通道数 1 - 1
针脚数 - 3 3
漏源极电阻 3.9 mΩ 3.3 Ω 0.065 Ω
极性 N-Channel N-Channel N-Channel
耗散功率 160 W 45 W 70 W
阈值电压 - 3.75 V 3 V
漏源极电压(Vds) 30 V 600 V 100 V
漏源击穿电压 30 V 600 V 100 V
栅源击穿电压 ±20.0 V ±30.0 V ±20.0 V
连续漏极电流(Ids) 35.0 A 2.40 A 23.0 A
上升时间 154 ns 14 ns 45 ns
输入电容(Ciss) 5160pF @15V(Vds) 311pF @25V(Vds) 870pF @25V(Vds)
额定功率(Max) 160 W 45 W 70 W
下降时间 63 ns 14 ns 17 ns
工作温度(Max) 175 ℃ 150 ℃ 175 ℃
工作温度(Min) 55 ℃ -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 160W (Tc) 45W (Tc) 70W (Tc)
输入电容 5.16 nF - -
栅电荷 91.0 nC - -
长度 6.73 mm 6.6 mm 6.6 mm
宽度 6.22 mm 6.2 mm 6.2 mm
高度 2.39 mm 2.4 mm 2.4 mm
封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-252-3
工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃
产品生命周期 Unknown Active Active
包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 - No SVHC No SVHC
REACH SVHC版本 - 2015/12/17 2015/12/17
ECCN代码 - EAR99 EAR99