FJP13009H2TU和ST13009

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 FJP13009H2TU ST13009 MJE13009G

描述 NPN 晶体管,Fairchild Semiconductor### 双极晶体管,Fairchild Semiconductor双极性结点晶体管 (BJT) 板系列提供完整的解决方案,用于满足各种电路应用需求。 创新的封装设计用于提供最小尺寸、最高可靠性和最大热性能。STMICROELECTRONICS  ST13009  单晶体管 双极, NPN, 400 V, 100 W, 12 A, 10 hFE12安培NPN硅功率晶体管400伏 - 100瓦 12 AMPERE NPN SILICON POWER TRANSISTOR 400 VOLTS − 100 WATTS

数据手册 ---

制造商 Fairchild (飞兆/仙童) ST Microelectronics (意法半导体) ON Semiconductor (安森美)

分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 3 3 3

封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3

额定电压(DC) 400 V 900 V 400 V

额定电流 12.0 A 12.0 A 12.0 A

针脚数 3 3 -

极性 NPN NPN NPN

耗散功率 100 W 100 W 100 W

击穿电压(集电极-发射极) 400 V 400 V 400 V

集电极最大允许电流 12A 12A 12A

最小电流放大倍数(hFE) 15 @5A, 5V 10 @8A, 5V 8

额定功率(Max) 100 W 100 W 2 W

直流电流增益(hFE) 8 10 -

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -65 ℃ -65 ℃ -65 ℃

耗散功率(Max) 100000 mW 100000 mW 100000 mW

频率 4 MHz - 4 MHz

额定功率 - - 100 W

最大电流放大倍数(hFE) - - 40

封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3

长度 9.9 mm - 10.28 mm

宽度 4.5 mm - 4.82 mm

高度 9.4 mm - 9.28 mm

工作温度 150℃ (TJ) 150℃ (TJ) -65℃ ~ 150℃ (TJ)

材质 - - Silicon

产品生命周期 Active Active Unknown

包装方式 Tube Tube Tube

RoHS标准 RoHS Compliant Non-Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Contains Lead Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC No SVHC

REACH SVHC版本 2015/06/15 2015/12/17 -

ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99

香港进出口证 NLR - -

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