对比图
型号 BSC0902NSIATMA1 FDMS8025S BSC030N03MSGATMA1
描述 INFINEON BSC0902NSIATMA1 晶体管, MOSFET, N沟道, 100 A, 30 V, 0.0023 ohm, 10 V, 2 VFAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDMS8025S 晶体管, MOSFET, N沟道, 49 A, 30 V, 0.0022 ohm, 10 V, 1.7 VINFINEON BSC030N03MSGATMA1 晶体管, MOSFET, N沟道, 100 A, 30 V, 0.0025 ohm, 10 V, 2 V
数据手册 ---
制造商 Infineon (英飞凌) Fairchild (飞兆/仙童) Infineon (英飞凌)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 - Surface Mount Surface Mount
引脚数 8 8 8
封装 TDSON-8 Power-56-8 PG-TDSON-8
额定功率 48 W - 69 W
针脚数 8 8 8
漏源极电阻 0.0023 Ω 0.0022 Ω 0.0025 Ω
极性 N-Channel N-Channel N-Channel
耗散功率 48 W 50 W 69 W
阈值电压 2 V 1.7 V 2 V
输入电容 - - 4300 pF
漏源极电压(Vds) 30 V 30 V 30 V
连续漏极电流(Ids) 23A 24A 21A
上升时间 5.4 ns - 10 ns
输入电容(Ciss) 1500pF @15V(Vds) 3000pF @15V(Vds) 4300pF @15V(Vds)
下降时间 3.8 ns - 9.4 ns
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 2500 mW 2.5W (Ta), 50W (Tc) 2.5W (Ta), 69W (Tc)
通道数 - 1 -
漏源击穿电压 - 30 V -
额定功率(Max) - 2.5 W -
封装 TDSON-8 Power-56-8 PG-TDSON-8
长度 5.9 mm 5 mm -
宽度 5.15 mm 6 mm -
高度 1.27 mm 1.05 mm -
工作温度 -55℃ ~ 150℃ -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃
产品生命周期 Active Active Active
包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC No SVHC
REACH SVHC版本 2015/12/17 2015/06/15 2015/12/17