对比图
型号 FCP190N60 SPP20N60S5 SPP20N60C3XKSA1
描述 FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FCP190N60 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 20.2 A, 600 V, 0.17 ohm, 10 V, 2.5 VInfineon CoolMOS™S5 功率 MOSFET 系列 ### MOSFET 晶体管，InfineonInfineon 庞大且全面的 MOSFET 设备组合包括 OptiMOS™ 与 CoolMOS™ 系列。 这些产品提供最新一代最先进功率 MOSFET 中的顶级性能INFINEON SPP20N60C3XKSA1 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 20.7 A, 650 V, 190 mohm, 10 V, 3 V
数据手册 ---
制造商 Fairchild (飞兆/仙童) Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)
分类 MOS管MOS管中高压MOS管
安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole
引脚数 3 3 3
封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3
针脚数 3 3 3
漏源极电阻 0.17 Ω 190 mΩ 0.19 Ω
极性 N-Channel N-Channel N-Channel
耗散功率 208 W 208 W 208 W
阈值电压 2.5 V 4.5 V 3 V
漏源极电压(Vds) 600 V 600 V 650 V
连续漏极电流(Ids) 20.2A 20.0 A 20.7A
输入电容(Ciss) 2950pF @25V(Vds) 3000pF @25V(Vds) 2400pF @25V(Vds)
额定功率(Max) 208 W 208 W 208 W
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 208W (Tc) 208W (Tc) 208W (Tc)
通道数 - 1 1
上升时间 - 25 ns 5 ns
下降时间 - 30 ns 4.5 ns
额定电压(DC) - 650 V -
额定电流 - 20.0 A -
额定功率 - 208 W -
输入电容 - 3.00 nF -
栅电荷 - 103 nC -
漏源击穿电压 - 600 V -
工作结温(Max) - 150 ℃ -
长度 10.67 mm 10 mm 10 mm
宽度 4.83 mm 4.4 mm 4.4 mm
高度 16.51 mm 15.65 mm 15.65 mm
封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Active Not Recommended for New Designs Not Recommended for New Designs
包装方式 Tube Tube Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC -
REACH SVHC版本 2015/06/15 2014/12/17 -
ECCN代码 - EAR99 -