对比图
型号 BSH103,215 FDV303N MMBF0201NLT1G
描述 NXP BSH103,215 晶体管, MOSFET, N沟道, 850 mA, 30 V, 0.4 ohm, 4.5 V, 400 mVFAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDV303N 晶体管, MOSFET, N沟道, 680 mA, 25 V, 0.33 ohm, 4.5 V, 800 mVON SEMICONDUCTOR MMBF0201NLT1G. 场效应管, MOSFET, N沟道, SOT-23, SMD, 20V
数据手册 ---
制造商 NXP (恩智浦) Fairchild (飞兆/仙童) ON Semiconductor (安森美)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 3 3 3
封装 SOT-23-3 SOT-23-3 SOT-23-3
额定电压(DC) - 25.0 V 20.0 V
额定电流 - 680 mA 300 mA
通道数 1 1 1
针脚数 3 3 3
漏源极电阻 0.4 Ω 0.33 Ω 0.75 Ω
极性 N-Channel N-Channel N-Channel
耗散功率 750 mW 350 mW 225 mW
阈值电压 400 mV 800 mV 1.7 V
输入电容 - - 45.0 pF
漏源极电压(Vds) 30 V 25 V 20 V
漏源击穿电压 - 25.0 V 62 V
栅源击穿电压 - 8.00 V ±20.0 V
连续漏极电流(Ids) 850 mA 680 mA 300 mA
上升时间 3.5 ns 8.5 ns 2.5 ns
输入电容(Ciss) 83pF @24V(Vds) 50pF @10V(Vds) 45pF @5V(Vds)
额定功率(Max) 540 mW 350 mW 225 mW
下降时间 7 ns 13 ns 0.8 ns
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ 55 ℃
耗散功率(Max) 540mW (Ta) 350mW (Ta) 225mW (Ta)
额定功率 - 350 mW -
长度 3 mm 2.92 mm 2.9 mm
宽度 1.4 mm 1.3 mm 1.3 mm
高度 1 mm 0.93 mm 0.94 mm
封装 SOT-23-3 SOT-23-3 SOT-23-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Active Unknown Active
包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC No SVHC
REACH SVHC版本 2015/12/17 2015/06/15 2015/12/17
ECCN代码 - EAR99 EAR99
香港进出口证 - NLR -