BSH103,215和FDV303N

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 BSH103,215 FDV303N MMBF0201NLT1G

描述 NXP  BSH103,215  晶体管, MOSFET, N沟道, 850 mA, 30 V, 0.4 ohm, 4.5 V, 400 mVFAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FDV303N  晶体管, MOSFET, N沟道, 680 mA, 25 V, 0.33 ohm, 4.5 V, 800 mVON SEMICONDUCTOR  MMBF0201NLT1G.  场效应管, MOSFET, N沟道, SOT-23, SMD, 20V

数据手册 ---

制造商 NXP (恩智浦) Fairchild (飞兆/仙童) ON Semiconductor (安森美)

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 3 3 3

封装 SOT-23-3 SOT-23-3 SOT-23-3

额定电压(DC) - 25.0 V 20.0 V

额定电流 - 680 mA 300 mA

通道数 1 1 1

针脚数 3 3 3

漏源极电阻 0.4 Ω 0.33 Ω 0.75 Ω

极性 N-Channel N-Channel N-Channel

耗散功率 750 mW 350 mW 225 mW

阈值电压 400 mV 800 mV 1.7 V

输入电容 - - 45.0 pF

漏源极电压(Vds) 30 V 25 V 20 V

漏源击穿电压 - 25.0 V 62 V

栅源击穿电压 - 8.00 V ±20.0 V

连续漏极电流(Ids) 850 mA 680 mA 300 mA

上升时间 3.5 ns 8.5 ns 2.5 ns

输入电容(Ciss) 83pF @24V(Vds) 50pF @10V(Vds) 45pF @5V(Vds)

额定功率(Max) 540 mW 350 mW 225 mW

下降时间 7 ns 13 ns 0.8 ns

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ 55 ℃

耗散功率(Max) 540mW (Ta) 350mW (Ta) 225mW (Ta)

额定功率 - 350 mW -

长度 3 mm 2.92 mm 2.9 mm

宽度 1.4 mm 1.3 mm 1.3 mm

高度 1 mm 0.93 mm 0.94 mm

封装 SOT-23-3 SOT-23-3 SOT-23-3

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Unknown Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17 2015/06/15 2015/12/17

ECCN代码 - EAR99 EAR99

香港进出口证 - NLR -

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