FQB25N33TM_F085和FQB7P20TM_F085

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 FQB25N33TM_F085 FQB7P20TM_F085 FDB039N06

描述 Trans MOSFET N-CH 330V 25A 3Pin(2+Tab) D2PAK T/RFAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FQB7P20TM_F085  晶体管, MOSFET, P沟道, -7.3 A, -200 V, 0.54 ohm, -10 V, -3 VN沟道MOSFET的PowerTrench 60V , 174A , 3.9mW N-Channel PowerTrench® MOSFET 60V, 174A, 3.9mW

数据手册 ---

制造商 Fairchild (飞兆/仙童) Fairchild (飞兆/仙童) Fairchild (飞兆/仙童)

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

封装 TO-263-3 TO-263-3 TO-263-3

引脚数 - 3 -

极性 N-CH P-Channel N-CH

耗散功率 3.1 W 90 W 231 W

漏源极电压(Vds) 330 V 200 V 60 V

连续漏极电流(Ids) 25A 7.3A 174A

输入电容(Ciss) 2010pF @25V(Vds) 770pF @25V(Vds) 8235pF @25V(Vds)

额定功率(Max) 3.1 W 3.13 W 231 W

耗散功率(Max) 3.1W (Ta), 250W (Tc) 3.13W (Ta), 90W (Tc) 231W (Tc)

针脚数 - 3 -

漏源极电阻 - 0.54 Ω 2.95 mΩ

上升时间 - 110 ns 40 ns

下降时间 - 42 ns 24 ns

工作温度(Max) - 150 ℃ 175 ℃

工作温度(Min) - -55 ℃ 55 ℃

通道数 - - 1

漏源击穿电压 - - 60 V

封装 TO-263-3 TO-263-3 TO-263-3

长度 - - 10.67 mm

宽度 - - 9.65 mm

高度 - - 4.83 mm

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)

产品生命周期 Not Recommended for New Designs Not Recommended for New Designs Obsolete

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - No SVHC -

REACH SVHC版本 - 2015/06/15 -

锐单商城 - 一站式电子元器件采购平台