对比图
型号 IRFS59N10DTRLP STB80NF10T4 STB35NF10T4
描述 MOSFET, Power; N-Ch; VDSS 100V; RDS(ON) 0.025Ω; ID 59A; D2Pak; PD 200W; VGS +/-30VSTMICROELECTRONICS STB80NF10T4 晶体管, MOSFET, N沟道, 40 A, 100 V, 0.012 ohm, 10 V, 3 VN 通道 STripFET™，STMicroelectronics### MOSFET 晶体管，STMicroelectronics
数据手册 ---
制造商 International Rectifier (国际整流器) ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 3 3 3
封装 TO-263-3 TO-263-3 TO-263-3
漏源极电阻 0.025 Ω 12 mΩ 0.03 Ω
极性 N-Channel N-Channel N-Channel
耗散功率 3.8 W 300 W 115 W
产品系列 IRFS59N10D - -
输入电容 2450pF @25V - -
漏源极电压(Vds) 100 V 100 V 100 V
漏源击穿电压 100 V 100 V 100 V
输入电容(Ciss) 2450pF @25V(Vds) 5500pF @25V(Vds) 1550pF @25V(Vds)
额定功率(Max) 3.8 W 300 W 115 W
工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃ 175 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃
额定电压(DC) - 100 V 100 V
额定电流 - 80.0 A 40.0 A
针脚数 - 3 -
阈值电压 - 3 V 3 V
栅源击穿电压 - ±20.0 V ±20.0 V
连续漏极电流(Ids) - 80.0 A 40.0 A
上升时间 - 80 ns 60 ns
下降时间 - 60 ns 15 ns
耗散功率(Max) - 300W (Tc) 115W (Tc)
长度 10.67 mm 10.4 mm 10.75 mm
高度 4.83 mm 4.6 mm 4.6 mm
封装 TO-263-3 TO-263-3 TO-263-3
宽度 - 9.35 mm 10.4 mm
工作温度 -55℃ ~ 175℃ -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)
产品生命周期 Active Active Active
包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 - No SVHC No SVHC
REACH SVHC版本 - 2015/12/17 2015/12/17