对比图
型号 FDD6690A STD40NF03LT4 STD30NF03LT4
描述 FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDD6690A 晶体管, MOSFET, N沟道, 46 A, 30 V, 0.0077 ohm, 10 V, 1.9 VSTMICROELECTRONICS STD40NF03LT4 晶体管, MOSFET, N沟道, 20 A, 30 V, 9 mohm, 10 V, 1 VSTMICROELECTRONICS STD30NF03LT4 晶体管, MOSFET, N沟道, 15 A, 30 V, 0.02 ohm, 4.5 V, 1.7 V
数据手册 ---
制造商 Fairchild (飞兆/仙童) ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 3 3 3
封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-252-3
额定电压(DC) 30.0 V 30.0 V 30.0 V
额定电流 46.0 A 40.0 A 30.0 A
额定功率 - - 50 W
通道数 1 1 1
针脚数 3 3 3
漏源极电阻 0.0077 Ω 0.009 Ω 0.02 Ω
极性 N-Channel N-Channel N-Channel
耗散功率 50 W 80 W 50 W
阈值电压 1.9 V 1 V 1.7 V
漏源极电压(Vds) 30 V 30 V 30 V
漏源击穿电压 30.0 V 30.0 V 30.0 V
栅源击穿电压 ±20.0 V ±20.0 V ±20.0 V
连续漏极电流(Ids) 46.0 A 20.0 A 30.0 A
上升时间 7 ns 165 ns 205 ns
输入电容(Ciss) 1230pF @15V(Vds) 1440pF @25V(Vds) 830pF @25V(Vds)
额定功率(Max) 1.5 W 80 W 50 W
下降时间 12 ns 25 ns 240 ns
工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃ 175 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -65 ℃
耗散功率(Max) 3.3W (Ta), 56W (Tc) 80W (Tc) 50W (Tc)
输入电容 1.23 nF - -
栅电荷 13.0 nC - -
封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-252-3
长度 6.73 mm - -
宽度 6.22 mm 6.2 mm -
高度 2.39 mm - -
工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ) -65℃ ~ 175℃ (TJ)
产品生命周期 Active Active Active
包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC No SVHC
REACH SVHC版本 2015/06/15 2015/12/17 2015/12/17
ECCN代码 EAR99 - EAR99