对比图
型号 CSD19502Q5B CSD19502Q5BT CSD19501KCS
描述 N 通道 NexFET 功率 MOSFET，CSD19502Q5BTEXAS INSTRUMENTS CSD19502Q5BT 晶体管, MOSFET, N沟道, 157 A, 80 V, 0.0034 ohm, 10 V, 2.7 V 新80V、N 通道 NexFET(TM) 功率 MOSFET，CSD19501KCS
数据手册 ---
制造商 TI (德州仪器) TI (德州仪器) TI (德州仪器)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Through Hole
引脚数 8 8 3
封装 VSON-Clip-8 VSON-Clip-8 TO-220-3
通道数 - 1 -
针脚数 8 8 3
漏源极电阻 0.0034 Ω 0.0034 Ω 0.0055 Ω
极性 N-Channel N-Channel N-Channel
耗散功率 3.2 W 195 W 217 W
阈值电压 2.7 V 2.7 V 2.6 V
漏源极电压(Vds) 80 V 80 V 80 V
漏源击穿电压 - 80 V -
上升时间 6 ns 6 ns 15 ns
输入电容(Ciss) 4870pF @40V(Vds) 4870pF @40V(Vds) 3980pF @40V(Vds)
下降时间 7 ns 7 ns 5 ns
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 175 ℃
工作温度(Min) - 55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 3.1W (Ta), 195W (Tc) 3.1W (Ta), 195W (Tc) 217W (Tc)
连续漏极电流(Ids) 100A - 100A
额定功率(Max) - - 217 W
长度 - 6 mm -
宽度 - 5 mm -
高度 - 1 mm -
封装 VSON-Clip-8 VSON-Clip-8 TO-220-3
材质 - Silicon Silicon
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)
产品生命周期 正在供货 Active 正在供货
包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tube
RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Contains Lead Contains Lead Lead Free
REACH SVHC版本 2015/06/15 2015/06/15 2015/06/15
REACH SVHC标准 No SVHC - No SVHC
ECCN代码 - EAR99 -