ISL9N307AD3ST参数规格_中文资料_数据手册PDF

ISL9N307AD3ST中文资料参数规格

技术参数

漏源极电阻 11.5 mΩ

极性 N-Channel

耗散功率 100 W

漏源极电压Vds 30 V

漏源击穿电压 30.0 V

栅源击穿电压 ±20.0 V

连续漏极电流Ids 50.0 A

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 TO-252

外形尺寸

封装 TO-252

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

数据手册

在线购买ISL9N307AD3ST

型号： ISL9N307AD3ST

制造商： Fairchild 飞兆/仙童

描述：N沟道逻辑电平PWM优化UltraFET沟道功率MOSFET N-Channel Logic Level PWM Optimized UltraFET Trench Power MOSFETs

替代型号ISL9N307AD3ST