对比图
型号 STP10NM60N STP13NM60N FQP12N60C
描述 STMICROELECTRONICS STP10NM60N 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 10 A, 600 V, 0.53 ohm, 10 V, 3 VN 通道 MDmesh™，600V/650V，STMicroelectronics### MOSFET 晶体管，STMicroelectronicsFAIRCHILD SEMICONDUCTOR FQP12N60C 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 12 A, 600 V, 530 mohm, 10 V, 4 V
数据手册 ---
制造商 ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体) Fairchild (飞兆/仙童)
分类 MOS管MOS管中高压MOS管
安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole
引脚数 3 3 3
封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3
通道数 - 1 -
漏源极电阻 0.53 Ω 0.28 Ω 530 mΩ
极性 N-Channel N-Channel N-Channel
耗散功率 70 W 90 W 225 W
阈值电压 3 V 3 V 4 V
漏源极电压(Vds) 600 V 600 V 600 V
连续漏极电流(Ids) - 5.50 A 12.0 A
上升时间 12 ns 8 ns -
输入电容(Ciss) 540pF @50V(Vds) 790pF @50V(Vds) 2290pF @25V(Vds)
额定功率(Max) 70 W 90 W 225 W
下降时间 15 ns 10 ns -
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 70W (Tc) 90W (Tc) 225W (Tc)
额定电压(DC) - - 600 V
额定电流 - - 12.0 A
针脚数 3 - 3
输入电容 540 pF - 2.29 nF
栅电荷 - - 63.0 nC
漏源击穿电压 - - 600 V
栅源击穿电压 - - ±30.0 V
长度 10.4 mm 10.4 mm -
宽度 4.6 mm 4.6 mm -
高度 15.75 mm 15.75 mm -
封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Active Active Not Recommended for New Designs
包装方式 Tube Tube Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC No SVHC
REACH SVHC版本 2015/12/17 2015/12/17 2015/06/15
ECCN代码 - EAR99 EAR99
香港进出口证 NLR NLR -