BSC020N03LSG和BSC886N03LSG

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 BSC020N03LSG BSC886N03LSG BSC057N03LSGATMA1

描述 30V,100A,N沟道功率MOSFET30V,6mΩ,65A,N沟道功率MOSFETInfineon OptiMOS 3 系列 Si N沟道 MOSFET BSC057N03LSGATMA1, 71 A, Vds=30 V, 8引脚 TDSON封装

数据手册 ---

制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)

分类 MOS管MOS管

基础参数对比

引脚数 8 8 8

封装 PG-TDSON-8-1 TDSON EP PG-TDSON-8

安装方式 - Surface Mount Surface Mount

耗散功率 2.5 W 2.5 W 45 W

漏源极电压(Vds) 30 V 30 V 30 V

额定功率 - - 45 W

针脚数 - - 8

漏源极电阻 - - 0.0048 Ω

极性 - N-Channel N-Channel

阈值电压 - - 1 V

输入电容 - - 1800 pF

连续漏极电流(Ids) - - 17A

上升时间 - - 3.6 ns

输入电容(Ciss) - - 1800pF @15V(Vds)

下降时间 - - 3.2 ns

工作温度(Max) - - 150 ℃

工作温度(Min) - - -55 ℃

耗散功率(Max) - - 2.5W (Ta), 45W (Tc)

封装 PG-TDSON-8-1 TDSON EP PG-TDSON-8

长度 - - 5.49 mm

宽度 - - 5.49 mm

高度 - - 1.1 mm

产品生命周期 Active Obsolete Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 PB free PB free Lead Free

REACH SVHC标准 - - No SVHC

香港进出口证 NLR - -

工作温度 - - -55℃ ~ 150℃ (TJ)

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