对比图
型号 IRF8010SPBF STB40NF10T4 STB80NF10T4
描述 MOSFET, Power; N-Ch; VDSS 100V; RDS(ON) 12Milliohms; ID 80A; D2Pak; PD 260W; VGS +/-20STMICROELECTRONICS STB40NF10T4 晶体管, MOSFET, N沟道, 40 A, 100 V, 28 mohm, 10 V, 2.8 VSTMICROELECTRONICS STB80NF10T4 晶体管, MOSFET, N沟道, 40 A, 100 V, 0.012 ohm, 10 V, 3 V
数据手册 ---
制造商 International Rectifier (国际整流器) ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 3 3 3
封装 TO-263-3 TO-263-3 TO-263-3
额定电压(DC) 100 V 100 V 100 V
额定电流 80.0 A 50.0 A 80.0 A
漏源极电阻 15 mΩ 0.028 Ω 12 mΩ
极性 N-Channel N-Channel N-Channel
耗散功率 260 W 150 W 300 W
产品系列 IRF8010S - -
阈值电压 4 V 2.8 V 3 V
输入电容 3830pF @25V - -
漏源极电压(Vds) 100 V 100 V 100 V
漏源击穿电压 100 V 100 V 100 V
连续漏极电流(Ids) 80.0 A 50.0 A 80.0 A
上升时间 130 ns 63 ns 80 ns
输入电容(Ciss) 3830pF @25V(Vds) 1780pF @25V(Vds) 5500pF @25V(Vds)
额定功率(Max) 260 W 150 W 300 W
工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃ 175 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃
针脚数 - 3 3
栅源击穿电压 - ±20.0 V ±20.0 V
下降时间 - 28 ns 60 ns
耗散功率(Max) - 150W (Tc) 300W (Tc)
通道数 - 1 -
长度 10.67 mm 10.4 mm 10.4 mm
高度 4.83 mm 4.6 mm 4.6 mm
封装 TO-263-3 TO-263-3 TO-263-3
宽度 - 9.35 mm 9.35 mm
工作温度 -55℃ ~ 175℃ -50℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)
产品生命周期 Active Active Active
包装方式 Rail, Tube Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC No SVHC
REACH SVHC版本 2014/12/17 2015/12/17 2015/12/17
ECCN代码 - EAR99 -