STB140NF75T4和STW150NF55

对比图

型号 STB140NF75T4 STW150NF55 IRF3808SPBF

描述 STB140NF75 系列 N 沟道 75 V 0.0075 Ω 160 nC STripFET™II MosFet - D2PAKN沟道55V - 0.005欧姆-120A DPAK / TO- 220 / TO- 247 STripFET⑩ II功率MOSFET N-CHANNEL 55V - 0.005 ohm -120A DPAK/TO-220/TO-247 STripFET⑩ II POWER MOSFETN沟道 75V 106A

数据手册 ---

制造商 ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体) International Rectifier (国际整流器)

分类 MOS管MOS管MOS管

安装方式 Surface Mount Through Hole Surface Mount

引脚数 3 - 3

封装 TO-263-3 TO-247-3 TO-263-3

额定电压(DC) 75.0 V - 75.0 V

额定电流 120 A - 106 A

漏源极电阻 0.0065 Ω 6 mΩ 7 mΩ

极性 N-Channel - N-Channel

耗散功率 310 W 300 W 200 W

产品系列 - - IRF3808S

阈值电压 4 V - 4 V

输入电容 - - 5310pF @25V

漏源极电压(Vds) 75 V 55 V 75 V

漏源击穿电压 75.0 V 55 V 75 V

连续漏极电流(Ids) 120 A - 106 A

上升时间 140 ns 180 ns 140 ns

输入电容(Ciss) 5000pF @25V(Vds) 4400pF @25V(Vds) 5310pF @25V(Vds)

额定功率(Max) 310 W - 200 W

工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃ 175 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ 55 ℃ -55 ℃

通道数 - 1 -

下降时间 90 ns 80 ns -

耗散功率(Max) 310W (Tc) 300W (Tc) -

栅源击穿电压 ±20.0 V - -

长度 10.4 mm 15.75 mm 10.67 mm

高度 4.6 mm 20.15 mm 4.83 mm

封装 TO-263-3 TO-247-3 TO-263-3

宽度 9.35 mm 5.15 mm -

工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃

产品生命周期 Active Obsolete Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tube Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC - No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17 - 2014/12/17

ECCN代码 EAR99 - -