对比图
型号 STD11NM60ND STI11NM60ND STD11NM60N
描述 N 通道 FDmesh™ 功率 MOSFET，STMicroelectronics### MOSFET 晶体管，STMicroelectronicsN沟道600V - 0.37Ω - 10A - FDmesh ™II功率MOSFET I2PAK ， TO- 220 ， TO- 220FP ， IPAK ， DPAK N-channel 600V - 0.37Ω - 10A - FDmesh? II Power MOSFET I2PAK, TO-220, TO-220FP, IPAK, DPAKN沟道600V - 0.37ohm -10A - TO- 220 ， TO- 220FP- IPAK - DPAK第二代的MDmesh功率MOSFET N-channel 600V-0.37ohm-10A-TO-220-TO-220FP- IPAK-DPAK Second generation MDmesh Power MOSFET
数据手册 ---
制造商 ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Through Hole Surface Mount
引脚数 3 - 3
封装 TO-252-3 TO-262-3 TO-252-3
额定电压(DC) - - 600 V
额定电流 - - 10.0 A
耗散功率 90 W 90W (Tc) 90W (Tc)
输入电容 - - 850 pF
栅电荷 - - 31.0 nC
漏源极电压(Vds) 600 V 600 V 600 V
连续漏极电流(Ids) 10A - 10.0 A
上升时间 7 ns - 18.5 ns
输入电容(Ciss) 850pF @50V(Vds) 850pF @50V(Vds) 850pF @50V(Vds)
额定功率(Max) 90 W - 90 W
下降时间 9 ns - 12 ns
工作温度(Max) 150 ℃ - 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ - -55 ℃
耗散功率(Max) 90W (Tc) 90W (Tc) 90W (Tc)
通道数 1 - -
漏源极电阻 450 mΩ - -
极性 N-Channel - -
漏源击穿电压 600 V - -
封装 TO-252-3 TO-262-3 TO-252-3
长度 6.6 mm - -
宽度 6.2 mm - -
高度 2.4 mm - -
工作温度 150℃ (TJ) 150℃ (TJ) 150℃ (TJ)
产品生命周期 Active Obsolete Active
包装方式 Tape & Reel (TR) Tube Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
ECCN代码 EAR99 - -