对比图
型号 FCP16N60 STP18NM60N STP22NM60N
描述 SuperFET® 和 SuperFET® II N 通道 MOSFET，Fairchild SemiconductorFairchild 使用超级结技术增加了 SuperFET® II 高电压功率 MOSFET 系列。 它提供最佳坚固主体二极管性能，适用于要求高功率密度、系统效率和可靠性的交流-直流开关模式电源 (SMPS) 应用，如服务器、电信、计算、工业电源、UPS/ESS、太阳能逆变器和照明应用。 利用先进的电荷平衡技术，设计人员可实现更高效经济的高性能解决方案，可占用更少板空间并提高可靠性。### MOSFET 晶体管，Fairchild SemiconductorFairchild 提供大量 MOSFET 设备组合，包括高电压 (>250V) 低电压 (Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性，以减少结电容和反向恢复电荷，无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。STMICROELECTRONICS STP18NM60N 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 13 A, 600 V, 0.26 ohm, 10 V, 3 VSTMICROELECTRONICS STP22NM60N 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 16 A, 600 V, 0.2 ohm, 10 V, 3 V
数据手册 ---
制造商 Fairchild (飞兆/仙童) ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole
引脚数 3 3 3
封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3
通道数 1 1 -
针脚数 - 3 3
漏源极电阻 260 mΩ 0.26 Ω 0.2 Ω
极性 N-Channel N-Channel N-Channel
耗散功率 167 W 110 W 125 W
阈值电压 - 3 V 3 V
输入电容 1.73 nF 1000 pF -
漏源极电压(Vds) 600 V 600 V 600 V
漏源击穿电压 600 V 600 V -
上升时间 130 ns 15 ns -
输入电容(Ciss) 2250pF @25V(Vds) 1000pF @50V(Vds) 1300pF @50V(Vds)
额定功率(Max) 167 W 110 W 125 W
下降时间 90 ns 25 ns 38 ns
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 167 W 110W (Tc) 125W (Tc)
额定电压(DC) 600 V - -
额定电流 16.0 A - -
栅电荷 55.0 nC - -
栅源击穿电压 ±30.0 V - -
连续漏极电流(Ids) 16.0 A - 16A
长度 10.1 mm 10.4 mm -
宽度 4.7 mm 4.6 mm -
高度 9.4 mm 15.75 mm -
封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Not Recommended for New Designs Active Active
包装方式 Tube Tube Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 - No SVHC No SVHC
REACH SVHC版本 - 2015/12/17 2015/12/17
香港进出口证 - NLR NLR
ECCN代码 EAR99 - -