FQD11P06TM和STD10PF06T4

对比图

型号 FQD11P06TM STD10PF06T4 FQD11P06

描述 FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FQD11P06TM  晶体管, MOSFET, P沟道, -9.4 A, -60 V, 0.15 ohm, -10 V, -4 V 新STMICROELECTRONICS  STD10PF06T4  晶体管, MOSFET, P沟道, -10 A, -60 V, 0.18 ohm, -10 V, -4 V60V P沟道MOSFET 60V P-Channel MOSFET

数据手册 ---

制造商 Fairchild (飞兆/仙童) ST Microelectronics (意法半导体) Fairchild (飞兆/仙童)

分类 MOS管MOS管MOS管

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 3 3 -

封装 TO-252-3 TO-252-3 DPAK

额定电压(DC) -60.0 V -60.0 V -

额定电流 -9.40 A -10.0 A -

针脚数 3 3 -

漏源极电阻 0.15 Ω 0.18 Ω -

极性 P-Channel P-Channel P-CH

耗散功率 2.5 W 40 W -

漏源极电压(Vds) 60 V 60 V 60 V

栅源击穿电压 ±30.0 V ±20.0 V -

连续漏极电流(Ids) 9.40 A 10.0 A 9.4A

上升时间 40 ns 40 ns -

输入电容(Ciss) 550pF @25V(Vds) 850pF @25V(Vds) -

额定功率(Max) 2.5 W 40 W -

下降时间 45 ns 10 ns -

工作温度(Max) 150 ℃ 175 ℃ -

工作温度(Min) -55 ℃ 65 ℃ -

耗散功率(Max) 2.5 W 40W (Tc) -

通道数 - 1 -

阈值电压 - 4 V -

漏源击穿电压 - 60 V -

长度 6.6 mm 6.6 mm -

宽度 6.1 mm 6.2 mm -

高度 2.3 mm 2.4 mm -

封装 TO-252-3 TO-252-3 DPAK

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) 175℃ (TJ) -

产品生命周期 Active Active Unknown

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) -

RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC版本 2015/06/15 2015/12/17 -

REACH SVHC标准 - No SVHC No SVHC

ECCN代码 EAR99 - -