对比图
型号 FDH44N50 SPW20N60C3 STW26NM50
描述 UniFET™ N 通道 MOSFET，Fairchild SemiconductorUniFET™ MOSFET 是 Fairchild Semiconductor 的高电压 MOSFET 系列。 它平面 MOSFET 中具有最小通态电阻，还提供卓越的切换性能和较高雪崩能量强度。 此外，内部栅极-源极 ESD 二极管让 UniFET-II™ MOSFET 可以耐受超过 2000V HBM 浪涌应力。 UniFET™ MOSFET 适用于开关电源转换器应用，如功率因数校正 (PFC)、平板显示屏 (FPD) 电视电源、ATX（先进技术扩展）和电子灯镇流器。### MOSFET 晶体管，Fairchild SemiconductorFairchild 提供大量 MOSFET 设备组合，包括高电压 (>250V) 低电压 (Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性，以减少结电容和反向恢复电荷，无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。INFINEON SPW20N60C3 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 20.7 A, 650 V, 190 mohm, 10 V, 3 VSTMICROELECTRONICS STW26NM50 晶体管, MOSFET, N沟道, 30 A, 500 V, 120 mohm, 10 V, 4 V
数据手册 ---
制造商 Fairchild (飞兆/仙童) Infineon (英飞凌) ST Microelectronics (意法半导体)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole
引脚数 3 3 3
封装 TO-247-3 TO-247-3 TO-247-3
额定电压(DC) 500 V 650 V 500 V
额定电流 44.0 A 20.7 A 30.0 A
针脚数 3 3 3
漏源极电阻 0.11 Ω 190 mΩ 0.12 Ω
极性 N-Channel N-Channel N-Channel
耗散功率 750 W 208 W 313 W
阈值电压 3.15 V 3 V 4 V
输入电容 5.34 nF 2.40 nF -
栅电荷 90.0 nC 114 nC -
漏源极电压(Vds) 500 V 650 V 500 V
漏源击穿电压 500 V 600 V -
栅源击穿电压 ±30.0 V - -
连续漏极电流(Ids) 44.0 A 20.7 A 30.0 A
上升时间 84 ns 5 ns 15 ns
输入电容(Ciss) 5335pF @25V(Vds) 2400pF @25V(Vds) 3000pF @25V(Vds)
额定功率(Max) 750 W 208 W 313 W
下降时间 79 ns 4.5 ns 19 ns
工作温度(Max) 175 ℃ 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ 55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 750W (Tc) 208W (Tc) 313W (Tc)
通道数 - 1 -
长度 15.87 mm 16.13 mm -
宽度 4.82 mm 5.21 mm -
高度 20.82 mm 21.1 mm -
封装 TO-247-3 TO-247-3 TO-247-3
工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) 150℃ (TJ)
产品生命周期 Active Active Active
包装方式 Tube Tube Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC No SVHC
REACH SVHC版本 2015/06/15 2015/12/17 2014/06/16
ECCN代码 EAR99 - EAR99
香港进出口证 - NLR -