对比图
描述 ON SEMICONDUCTOR MJD117G 单晶体管 双极, 达林顿, PNP, 100 V, 25 MHz, 1.75 W, 2 A, 12 hFEON SEMICONDUCTOR MJD117T4G 单晶体管 双极, 达林顿, PNP, -100 V, 25 MHz, 1.75 W, -2 A, 12000 hFE互补达林顿功率晶体管 Complementary Darlington Power Transistors
数据手册 ---
制造商 ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美)
分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 4 4 3
封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-252-3
额定电压(DC) -100 V -100 V -100 V
额定电流 -2.00 A 2.00 A -2.00 A
无卤素状态 Halogen Free Halogen Free -
输出电压 100 V - -
输出电流 2 A - -
针脚数 4 4 -
极性 PNP PNP PNP
耗散功率 1.75 W 1.75 W 20 W
击穿电压(集电极-发射极) 100 V 100 V 100 V
热阻 71.4℃/W (RθJA) - -
集电极最大允许电流 2A 2A 2A
最小电流放大倍数(hFE) 1000 @2A, 3V 1000 @2A, 3V 1000 @2A, 3V
最大电流放大倍数(hFE) 12000 12000 12000
额定功率(Max) 1.75 W 1.75 W 1.75 W
直流电流增益(hFE) 12 12000 -
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -65 ℃ -65 ℃ 65 ℃
增益带宽 25MHz (Min) 25MHz (Min) 25MHz (Min)
耗散功率(Max) 1750 mW 1750 mW 1750 mW
输入电压 5 V - -
长度 6.73 mm 6.73 mm 6.73 mm
宽度 6.22 mm 6.22 mm 6.22 mm
高度 2.38 mm 2.38 mm 2.38 mm
封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-252-3
工作温度 -65℃ ~ 150℃ -65℃ ~ 150℃ (TJ) -65℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Active Active Unknown
包装方式 Tube Tape & Reel (TR) Tube
最小包装 - - 2500
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant Non-Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Contains Lead
REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC -
REACH SVHC版本 2015/12/17 2015/12/17 -
ECCN代码 EAR99 EAR99 -