对比图
型号 STN1HNK60 BSP122,115 BSP126,115
描述 STMICROELECTRONICS STN1HNK60 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 500 mA, 600 V, 8 ohm, 10 V, 3 VNXP BSP122,115 晶体管, MOSFET, N沟道, 750 mA, 200 V, 1.7 ohm, 10 V, 2 VNXP BSP126,115 晶体管, MOSFET, N沟道, 300 mA, 250 V, 2.8 ohm, 10 V, 2 V
数据手册 ---
制造商 ST Microelectronics (意法半导体) NXP (恩智浦) NXP (恩智浦)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 3 3 3
封装 TO-261-4 TO-261-4 TO-261-4
针脚数 3 3 3
漏源极电阻 8 Ω 1.7 Ω 2.8 Ω
极性 N-Channel N-Channel N-Channel
耗散功率 3.3 W 1.5 W 1.5 W
阈值电压 3 V 2 V 2 V
漏源极电压(Vds) 600 V 200 V 250 V
连续漏极电流(Ids) 500 mA 550 mA 375 mA
输入电容(Ciss) 156pF @25V(Vds) 100pF @25V(Vds) 120pF @25V(Vds)
额定功率(Max) 3.3 W 1.5 W 1.5 W
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 3.3W (Tc) 1.5W (Ta) 1.5W (Ta)
额定电压(DC) 600 V - -
额定电流 400 mA - -
通道数 1 - -
漏源击穿电压 600 V - -
上升时间 5 ns - -
下降时间 25 ns - -
长度 6.5 mm 6.7 mm -
宽度 3.5 mm 3.7 mm -
高度 1.8 mm 1.7 mm -
封装 TO-261-4 TO-261-4 TO-261-4
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃
产品生命周期 Active Active Active
包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC No SVHC
REACH SVHC版本 2015/12/17 2015/12/17 2015/12/17