对比图
型号 CSD18504KCS CSD18510KCS PSMN8R0-40PS
描述 40V N 通道 NexFET™ 功率 MOSFET40V、N 沟道 NexFET MOSFET™、单路、TO-220、1.7mΩ 3-TO-220 -55 to 175NXP PSMN8R0-40PS 晶体管, MOSFET, N沟道, 77 A, 40 V, 6.2 mohm, 10 V, 3 V
数据手册 ---
制造商 TI (德州仪器) TI (德州仪器) NXP (恩智浦)
分类 MOS管MOS管
安装方式 Through Hole - Through Hole
引脚数 3 3 3
封装 TO-220-3 TO-220 TO-220
针脚数 3 - 3
漏源极电阻 0.0055 Ω - 6.2 mΩ
极性 N-Channel - N-Channel
耗散功率 93 W 250 W 86 W
阈值电压 1.9 V - 3 V
漏源极电压(Vds) 40 V - 40 V
连续漏极电流(Ids) 100A - 77A
输入电容(Ciss) 1800pF @20V(Vds) 8770pF @20V(Vds) 1262pF @12V(Vds)
工作温度(Max) 150 ℃ 175 ℃ 175 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 115W (Tc) 250000 mW 86 W
上升时间 5.2 ns 8 ns -
额定功率(Max) 93 W - -
下降时间 4.2 ns 8 ns -
长度 - - 10.3 mm
宽度 - - 4.7 mm
高度 - - 16 mm
封装 TO-220-3 TO-220 TO-220
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) - -55℃ ~ 175℃
材质 Silicon Silicon -
产品生命周期 正在供货 Active Unknown
包装方式 Tube Tube -
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Contains Lead Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC - No SVHC
REACH SVHC版本 2015/06/15 - 2015/12/17