对比图
型号 FQPF5N60C STD18N55M5 STP4NK60ZFP
描述 FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FQPF5N60C 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 4.5 A, 600 V, 2.5 ohm, 10 V, 4 VSTMICROELECTRONICS STD18N55M5 晶体管, MOSFET, N沟道, 13 A, 550 V, 0.18 ohm, 10 V, 4 VSTMICROELECTRONICS STP4NK60ZFP 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 4 A, 600 V, 2 ohm, 10 V, 3.75 V
数据手册 ---
制造商 Fairchild (飞兆/仙童) ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Through Hole Surface Mount Through Hole
引脚数 3 3 3
封装 TO-220-3 TO-252-3 TO-220-3
额定电压(DC) 600 V - -
额定电流 4.50 A - -
针脚数 3 3 3
漏源极电阻 2.5 Ω 0.18 Ω 2 Ω
极性 N-Channel N-Channel N-Channel
耗散功率 33 W 90 W 25 W
阈值电压 4 V 4 V 3.75 V
漏源极电压(Vds) 600 V 550 V 600 V
漏源击穿电压 600 V 550 V -
栅源击穿电压 ±30.0 V - -
连续漏极电流(Ids) 4.50 A 16A 4.00 A
上升时间 42 ns 9.5 ns 9.5 ns
输入电容(Ciss) 670pF @25V(Vds) 1260pF @100V(Vds) 510pF @25V(Vds)
额定功率(Max) 33 W 90 W 25 W
下降时间 46 ns 13 ns 16.5 ns
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 33W (Tc) 110W (Tc) 25000 mW
额定功率 - - 25 W
通道数 - 1 1
封装 TO-220-3 TO-252-3 TO-220-3
长度 - 6.6 mm 10.4 mm
宽度 - 6.2 mm 4.6 mm
高度 - 2.4 mm 9.3 mm
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) 150℃ (TJ) 150℃ (TJ)
材质 - Silicon -
产品生命周期 Not Recommended for New Designs Active Active
包装方式 Tube Tape & Reel (TR) Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC No SVHC
REACH SVHC版本 2015/06/15 2015/12/17 2015/12/17
ECCN代码 EAR99 - -
香港进出口证 NLR - -