对比图
型号 SI2323DS-T1-E3 SI2323DS-T1-GE3 DMG3415U-7
描述 VISHAY SI2323DS-T1-E3 晶体管, MOSFET, P沟道, -4.7 A, -20 V, 39 mohm, -4.5 V, -1 VVISHAY SI2323DS-T1-GE3 晶体管, MOSFET, P沟道, -3.7 A, -20 V, 0.031 ohm, -4.5 V, -1 VDMG3415U-7 编带
数据手册 ---
制造商 Vishay Semiconductor (威世) Vishay Semiconductor (威世) Diodes (美台)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount - Surface Mount
引脚数 3 3 3
封装 TO-236 SOT-23-3 SOT-23-3
针脚数 3 3 3
漏源极电阻 0.039 Ω 0.031 Ω 31 mΩ
极性 P-Channel P-Channel P-Channel
耗散功率 1.25 W 750 mW 900 mW
漏源极电压(Vds) -20.0 V -20.0 V 20 V
漏源击穿电压 -20.0 V - -
连续漏极电流(Ids) -4.70 A -4.70 A 4A
上升时间 43 ns 43 ns 117 ns
输入电容(Ciss) 1020pF @10V(Vds) 1020pF @10V(Vds) 294pF @10V(Vds)
下降时间 48 ns 48 ns 393 ns
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 0.75 W 1250 mW 900mW (Ta)
阈值电压 - - 550 mV
输入电容 - - 294 pF
额定功率(Max) - - 900 mW
长度 3.04 mm 2.9 mm 2.9 mm
宽度 1.4 mm 1.6 mm 1.3 mm
高度 1.02 mm 1.02 mm 1 mm
封装 TO-236 SOT-23-3 SOT-23-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ -55℃ ~ 150℃ -55℃ ~ 150℃
包装方式 Cut Tape (CT) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
产品生命周期 - - Active
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC No SVHC
REACH SVHC版本 2015/06/15 2015/06/15 2015/12/17
军工级 - - Yes
ECCN代码 - - EAR99