BS170和BS170G

对比图

型号 BS170 BS170G MMBF170

描述 小信号N沟道TO-92-3封装场效应管ON SEMICONDUCTOR  BS170G  晶体管, MOSFET, N沟道, 500 mA, 60 V, 5 ohm, 10 V, 2 VFAIRCHILD SEMICONDUCTOR  MMBF170  晶体管, MOSFET, N沟道, 500 mA, 60 V, 5 ohm, 10 V, 2.1 V

数据手册 ---

制造商 ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美) Fairchild (飞兆/仙童)

分类 MOS管MOS管MOS管

安装方式 Through Hole Through Hole Surface Mount

引脚数 3 3 3

封装 TO-226-3 TO-92-3 SOT-23-3

额定电压(DC) 60.0 V 60.0 V 60.0 V

额定电流 500 mA 500 mA 500 mA

通道数 1 1 1

针脚数 3 3 3

漏源极电阻 5 Ω 5 Ω 5 Ω

极性 N-Channel N-Channel N-Channel

耗散功率 350 mW 350 mW 300 mW

阈值电压 2.1 V 2 V 2.1 V

输入电容 60.0 pF 60.0 pF 40.0 pF

漏源极电压(Vds) 60 V 60 V 60 V

漏源击穿电压 60 V 90 V 60.0 V

栅源击穿电压 ±20.0 V ±20.0 V ±20.0 V

连续漏极电流(Ids) 500 mA 500 mA 500 mA

输入电容(Ciss) 60pF @10V(Vds) 60pF @10V(Vds) 40pF @10V(Vds)

额定功率(Max) 830 mW 350 mW 300 mW

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 350mW (Ta) 350mW (Ta) 300mW (Ta)

额定功率 - 83 W -

长度 5.2 mm 4.45 mm 2.92 mm

宽度 4.19 mm 4.19 mm 1.3 mm

高度 5.33 mm - 0.93 mm

封装 TO-226-3 TO-92-3 SOT-23-3

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Obsolete Active Active

包装方式 Tube Box Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Contains Lead Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - No SVHC No SVHC

REACH SVHC版本 - 2018/01/15 2015/06/15

ECCN代码 - EAR99 EAR99