对比图
型号 CSD17555Q5A FDMS7660 CSD17553Q5A
描述 30V N 通道 NexFET 功率 MOSFET、CSD17555Q5AMOSFET 晶体管，Fairchild SemiconductorFairchild 提供大量 MOSFET 设备组合，包括高电压 (>250V) 低电压 (Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性，以减少结电容和反向恢复电荷，无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。N 通道 NexFET 功率 MOSFET，CSD17553Q5A
数据手册 ---
制造商 TI (德州仪器) Fairchild (飞兆/仙童) TI (德州仪器)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 8 8 8
封装 VSON-FET-8 Power-56-8 VSON-FET-8
漏源极电阻 - 0.0019 Ω 4 mΩ
极性 N-CH N-Channel N-CH
耗散功率 3 W 2.5 W 3.1 W
阈值电压 - 1.9 V 1.5 V
漏源极电压(Vds) 30 V 30 V 30 V
连续漏极电流(Ids) 24A 25A 23.5A
上升时间 18 ns 9 ns 17 ns
输入电容(Ciss) 4650pF @15V(Vds) 5565pF @15V(Vds) 3252pF @15V(Vds)
额定功率(Max) 3 W 2.5 W 3.1 W
下降时间 5.3 ns 7 ns 5.2 ns
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 3W (Ta) 2.5W (Ta), 78W (Tc) 3.1W (Ta)
通道数 - - 1
漏源击穿电压 - - 30 V
长度 6 mm 5 mm 5.8 mm
宽度 4.9 mm 6 mm 5 mm
高度 1 mm 1.05 mm 1.1 mm
封装 VSON-FET-8 Power-56-8 VSON-FET-8
材质 Silicon Silicon -
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 正在供货 Active 正在供货
包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 - No SVHC -
REACH SVHC版本 - 2015/06/15 -