BC847BWT1G和BC847CLT1G

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 BC847BWT1G BC847CLT1G BC847BT-7-F

描述 ON SEMICONDUCTOR  BC847BWT1G  晶体管 双极-射频, NPN, 45 V, 100 MHz, 150 mW, 100 mA, 200 hFEON SEMICONDUCTOR  BC847CLT1G  单晶体管 双极, 通用, NPN, 45 V, 100 MHz, 300 mW, 100 mA, 100 hFEBC847BT-7-F 编带

数据手册 ---

制造商 ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美) Diodes (美台)

分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 3 3 3

封装 SC-70-3 SOT-23-3 SOT-523

额定电压(DC) 45.0 V 45.0 V 50.0 V

额定电流 100 mA 100 mA 100 mA

极性 NPN NPN NPN

耗散功率 150 mW 300 mW 150 mW

击穿电压(集电极-发射极) 45 V 45 V 45 V

集电极最大允许电流 0.1A 0.1A 0.1A

最小电流放大倍数(hFE) 200 @2mA, 5V 420 200 @2mA, 5V

额定功率(Max) 150 mW 300 mW 150 mW

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 150 mW 300 mW 150 mW

频率 100 MHz 100 MHz -

额定功率 - 300 mW -

无卤素状态 Halogen Free Halogen Free -

针脚数 3 3 -

增益频宽积 100 MHz 100 MHz -

直流电流增益(hFE) 200 420 -

封装 SC-70-3 SOT-23-3 SOT-523

长度 2.2 mm 2.9 mm -

宽度 1.35 mm 1.3 mm -

高度 0.9 mm 0.94 mm -

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

材质 Silicon Silicon -

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17 2015/12/17 -

ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99

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