对比图
型号 IPP60R600C6 SPD07N60S5 IPB60R600C6ATMA1
描述 INFINEON IPP60R600C6 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 7.3 A, 600 V, 0.54 ohm, 10 V, 3 V酷MOS ™功率晶体管 Cool MOS⑩ Power TransistorInfineon CoolMOS C6 系列 Si N沟道 MOSFET IPB60R600C6ATMA1, 7.3 A, Vds=650 V, 3引脚 D2PAK (TO-263)封装
数据手册 ---
制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Through Hole Surface Mount Surface Mount
引脚数 3 3 3
封装 TO-220-3 TO-252-3 TO-263-3
额定功率 - - 63 W
极性 N-Channel N-Channel N-Channel
耗散功率 63 W 83W (Tc) 63 W
漏源极电压(Vds) 600 V 600 V 600 V
连续漏极电流(Ids) 7.3A 7.30 A 7.3A
上升时间 9 ns 40 ns 9 ns
输入电容(Ciss) 440pF @100V(Vds) 970pF @25V(Vds) 440pF @100V(Vds)
下降时间 13 ns 20 ns 13 ns
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 63W (Tc) 83W (Tc) 63 W
额定电压(DC) - 650 V -
额定电流 - 7.30 A -
额定功率(Max) 63 W 83 W -
针脚数 3 - -
漏源极电阻 0.54 Ω - -
阈值电压 3 V - -
长度 10.36 mm - 10.31 mm
宽度 4.57 mm - 9.45 mm
高度 15.95 mm - 4.57 mm
封装 TO-220-3 TO-252-3 TO-263-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Obsolete Obsolete Not Recommended for New Designs
包装方式 Tube Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Contains Lead Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC -
REACH SVHC版本 2015/12/17 - -