KSH45H11TF和KSH45H11TM

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 KSH45H11TF KSH45H11TM MJD45H11TM

描述 Power Bipolar Transistor, 8A I(C), 80V V(BR)CEO, 1Element, PNP, Silicon, TO-252, Plastic/Epoxy, 2Pin, DPAK-3Trans GP BJT PNP 80V 8A 3Pin(2+Tab) DPAK T/RFAIRCHILD SEMICONDUCTOR  MJD45H11TM  单晶体管 双极, PNP, -80 V, 40 MHz, 1.75 W, -8 A, 40 hFE

数据手册 ---

制造商 Fairchild (飞兆/仙童) Fairchild (飞兆/仙童) Fairchild (飞兆/仙童)

分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 - 3 3

封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-252-3

频率 40 MHz 40 MHz 40 MHz

额定电压(DC) -80.0 V -80.0 V -80.0 V

额定电流 -8.00 A -8.00 A -8.00 A

针脚数 - - 3

极性 PNP PNP NPN

耗散功率 1.75 W 1.75 W 1.75 W

增益频宽积 - 40 MHz 40 MHz

击穿电压(集电极-发射极) 80 V 80 V 80 V

集电极最大允许电流 8A 8A 8A

最小电流放大倍数(hFE) 40 @4A, 1V 40 @4A, 1V 40 @4A, 1V

最大电流放大倍数(hFE) - - 60

额定功率(Max) 1.75 W 1.75 W 1.75 W

直流电流增益(hFE) - - 40

工作温度(Max) - 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) - -55 ℃ 55 ℃

耗散功率(Max) 1750 mW 1750 mW 1750 mW

长度 - 6.6 mm 6.6 mm

宽度 6.1 mm 6.1 mm 6.1 mm

高度 - 2.3 mm 2.3 mm

封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-252-3

工作温度 150℃ (TJ) 150℃ (TJ) 150℃ (TJ)

材质 - Silicon -

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - - No SVHC

REACH SVHC版本 - - 2015/06/15

ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99

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