PUMB11,115和PUMB11,135

对比图

型号 PUMB11,115 PUMB11,135 BCR183SE6433BTMA1

描述 NXP  PUMB11,115  双极晶体管阵列, BRT, PNP, -50 V, 200 mW, -100 mA, 30 hFE, SOT-363TSSOP PNP 50V 100mASOT-363 PNP 50V 100mA

数据手册 ---

制造商 NXP (恩智浦) NXP (恩智浦) Infineon (英飞凌)

分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 6 6 -

封装 SOT-363-6 TSSOP-6 SOT-363-6

极性 PNP PNP PNP

击穿电压(集电极-发射极) 50 V 50 V 50 V

集电极最大允许电流 100mA 100mA 100mA

最小电流放大倍数(hFE) 30 @5mA, 5V 30 @5mA, 5V 30 @5mA, 5V

额定功率(Max) 300 mW 300 mW 250 mW

针脚数 6 - -

耗散功率 200 mW - -

直流电流增益(hFE) 30 - -

工作温度(Max) 150 ℃ - -

工作温度(Min) -65 ℃ - -

高度 1 mm 1 mm -

封装 SOT-363-6 TSSOP-6 SOT-363-6

工作温度 - -65℃ ~ 150℃ -

产品生命周期 Active Active Obsolete

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC - -

REACH SVHC版本 2015/12/17 - -

香港进出口证 NLR - -