STP4NK60Z和STP60NF06

对比图

型号 STP4NK60Z STP60NF06 IRFBC30APBF

描述 STMICROELECTRONICS  STP4NK60Z  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 4 A, 600 V, 2 ohm, 10 V, 3.75 VSTMICROELECTRONICS  STP60NF06  晶体管, MOSFET, N沟道, 60 A, 60 V, 16 mohm, 10 V, 2 VVISHAY  IRFBC30APBF  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 3.6 A, 600 V, 2.2 ohm, 10 V, 4.5 V

数据手册 ---

制造商 ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体) Vishay Semiconductor (威世)

分类 MOS管MOS管中高压MOS管

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 3 3 3

封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3

额定电压(DC) 600 V 60.0 V -

额定电流 4.00 A 60.0 A -

额定功率 70 W - -

针脚数 3 3 3

漏源极电阻 2 Ω 0.016 Ω 2.2 Ω

极性 N-Channel N-Channel N-Channel

耗散功率 70 W 110 W 74 W

阈值电压 3.75 V 2 V 4.5 V

漏源极电压(Vds) 600 V 60 V 600 V

漏源击穿电压 600 V 60.0 V -

栅源击穿电压 ±30.0 V ±20.0 V -

连续漏极电流(Ids) 4.00 A 60.0 A 3.60 A

上升时间 9.5 ns 108 ns -

输入电容(Ciss) 510pF @25V(Vds) 1660pF @25V(Vds) 510pF @25V(Vds)

额定功率(Max) 70 W 110 W -

下降时间 16.5 ns 20 ns -

工作温度(Max) 150 ℃ 175 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 70W (Tc) 110W (Tc) 74 W

通道数 - 1 -

长度 10.4 mm 10.4 mm 10.41 mm

宽度 4.6 mm 4.6 mm 4.7 mm

高度 9.15 mm 9.15 mm 9.01 mm

封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3

工作温度 150℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ) -

产品生命周期 Active Active -

包装方式 Tube Tube Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC -

REACH SVHC版本 - 2015/12/17 -

ECCN代码 EAR99 EAR99 -