对比图
型号 AON6718 STU150N3LLH6 IPB05N03LB
描述 DFN N-CH 30V 80ASTMICROELECTRONICS STU150N3LLH6 晶体管, MOSFET, N沟道, 80 A, 30 V, 0.0024 ohm, 10 V, 1 VOptiMOS®2功率三极管 OptiMOS㈢2 Power-Transistor
数据手册 ---
制造商 Alpha & Omega Semiconductor (万代半导体) ST Microelectronics (意法半导体) Infineon (英飞凌)
分类 MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Through Hole Surface Mount
引脚数 8 3 -
封装 DFN-8 TO-251-3 TO-263-3-2
通道数 - 1 -
针脚数 - 3 -
漏源极电阻 - 0.0024 Ω -
极性 N-CH N-Channel N-CH
耗散功率 - 110 W 94W (Tc)
阈值电压 - 1 V -
漏源极电压(Vds) 30 V 30 V 30 V
漏源击穿电压 - 30 V -
连续漏极电流(Ids) 80A 80A 80.0 A
上升时间 10.7 ns 18 ns -
输入电容(Ciss) 3719pF @15V(Vds) 4040pF @25V(Vds) 3209pF @15V(Vds)
下降时间 12.5 ns 46 ns -
工作温度(Max) 150 ℃ 175 ℃ -
工作温度(Min) -55 ℃ 55 ℃ -
耗散功率(Max) 2.1W (Ta), 83W (Tc) 110W (Tc) 94W (Tc)
额定电压(DC) - - 30.0 V
额定电流 - - 80.0 A
输入电容 - - 3.21 nF
栅电荷 - - 25.0 nC
长度 - 6.6 mm -
宽度 - 2.4 mm -
高度 - 6.9 mm -
封装 DFN-8 TO-251-3 TO-263-3-2
工作温度 - 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)
产品生命周期 Active Not Recommended for New Designs Obsolete
包装方式 Bulk Tube Tape
RoHS标准 RoHS Compliant Non-Compliant
含铅标准 - Lead Free Contains Lead
REACH SVHC标准 - No SVHC -
REACH SVHC版本 - 2015/12/17 -