对比图
型号 STD95N3LLH6 STD96N3LLH6 STU95N3LLH6
描述 STMICROELECTRONICS STD95N3LLH6 晶体管, MOSFET, N沟道, 80 A, 30 V, 0.0037 ohm, 10 V, 1 VN沟道30 V ， 0.0037 I© ， 80 A， DPAK STripFETâ ?? ¢六DeepGATEâ ?? ¢功率MOSFET N-channel 30 V, 0.0037 Ω, 80 A, DPAK STripFET⢠VI DeepGATE⢠Power MOSFETN沟道30 V ， 0.0037 I© ， 80 A， D2PAK ， DPAK ， IPAK ， TO- 220的STripFET VI DeepGATE功率MOSFET N-channel 30 V, 0.0037 Ω , 80 A, D2PAK, DPAK, IPAK, TO-220 STripFET VI DeepGATE Power MOSFET
数据手册 ---
制造商 ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Through Hole
封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-251-3
引脚数 3 3 -
耗散功率 70 W 70 W 70W (Tc)
漏源极电压(Vds) 30 V 30 V 30 V
输入电容(Ciss) 2200pF @25V(Vds) 2200pF @25V(Vds) 2200pF @25V(Vds)
耗散功率(Max) 70W (Tc) 70W (Tc) 70W (Tc)
通道数 - 1 -
极性 N-Channel N-CH -
阈值电压 1 V 2.5 V -
连续漏极电流(Ids) 80A 80A -
上升时间 91 ns 91 ns -
额定功率(Max) 70 W 70 W -
下降时间 23.4 ns 23.4 ns -
工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃ -
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -
针脚数 3 - -
漏源极电阻 0.0037 Ω - -
封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-251-3
长度 6.6 mm - -
宽度 6.2 mm - -
高度 2.4 mm - -
工作温度 175℃ (TJ) 175℃ (TJ) 175℃ (TJ)
产品生命周期 Not Recommended for New Designs Active Obsolete
包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC - -
REACH SVHC版本 2015/12/17 - -