对比图
型号 FDPF55N06 STP80NF10 STD15NF10T4
描述 UniFET™ N 通道 MOSFET，Fairchild SemiconductorUniFET™ MOSFET 是 Fairchild Semiconductor 的高电压 MOSFET 系列。 它平面 MOSFET 中具有最小通态电阻，还提供卓越的切换性能和较高雪崩能量强度。 此外，内部栅极-源极 ESD 二极管让 UniFET-II™ MOSFET 可以耐受超过 2000V HBM 浪涌应力。 UniFET™ MOSFET 适用于开关电源转换器应用，如功率因数校正 (PFC)、平板显示屏 (FPD) 电视电源、ATX（先进技术扩展）和电子灯镇流器。### MOSFET 晶体管，Fairchild SemiconductorFairchild 提供大量 MOSFET 设备组合，包括高电压 (>250V) 低电压 (Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性，以减少结电容和反向恢复电荷，无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。N 通道 STripFET™ II，STMicroelectronicsSTripFET™ MOSFET，带宽击穿电压范围，可提供超低栅极电话和低接通电阻。### MOSFET 晶体管，STMicroelectronicsSTMICROELECTRONICS STD15NF10T4 晶体管, MOSFET, N沟道, 23 A, 100 V, 65 mohm, 10 V, 3 V
数据手册 ---
制造商 Fairchild (飞兆/仙童) ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Through Hole Through Hole Surface Mount
引脚数 3 3 3
封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-252-3
额定电压(DC) - 100 V 100 V
额定电流 - 80.0 A 23.0 A
额定功率 - 300 W -
通道数 - 1 1
针脚数 - 3 3
漏源极电阻 22.0 mΩ 0.012 Ω 0.065 Ω
极性 N-Channel N-Channel N-Channel
耗散功率 48 W 300 W 70 W
阈值电压 - 3 V 3 V
输入电容 - 5500 pF -
漏源极电压(Vds) 60 V 100 V 100 V
漏源击穿电压 60.0 V 100 V 100 V
栅源击穿电压 - ±20.0 V ±20.0 V
连续漏极电流(Ids) 55.0 A 80.0 A 23.0 A
上升时间 - 80 ns 45 ns
输入电容(Ciss) 1510pF @25V(Vds) 5500pF @25V(Vds) 870pF @25V(Vds)
额定功率(Max) 48 W 300 W 70 W
下降时间 - 60 ns 17 ns
工作温度(Max) 150 ℃ 175 ℃ 175 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 48W (Tc) 300W (Tc) 70W (Tc)
长度 10.36 mm 10.4 mm 6.6 mm
宽度 4.9 mm 4.6 mm 6.2 mm
高度 16.07 mm 9.15 mm 2.4 mm
封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-252-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃
产品生命周期 Active Active Active
包装方式 Tube Tube Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 - No SVHC No SVHC
REACH SVHC版本 - 2015/12/17 2015/12/17
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99