对比图
型号 IPB034N03LGATMA1 STU150N3LLH6 FDB8030L
描述 INFINEON IPB034N03LGATMA1 晶体管, MOSFET, N沟道, 80 A, 30 V, 2.8 mohm, 10 V, 1 VSTMICROELECTRONICS STU150N3LLH6 晶体管, MOSFET, N沟道, 80 A, 30 V, 0.0024 ohm, 10 V, 1 VFAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDB8030L 晶体管, MOSFET, N沟道, 80 A, 30 V, 0.0031 ohm, 10 V, 1.5 V
数据手册 ---
制造商 Infineon (英飞凌) ST Microelectronics (意法半导体) Fairchild (飞兆/仙童)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Through Hole Surface Mount
引脚数 3 3 3
封装 TO-263 TO-251-3 TO-263-3
额定电压(DC) - - 30.0 V
额定电流 - - 80.0 A
针脚数 3 3 3
漏源极电阻 0.0028 Ω 0.0024 Ω 0.0031 Ω
极性 N-Channel N-Channel N-Channel
耗散功率 94 W 110 W 187 W
阈值电压 1 V 1 V 1.5 V
输入电容 - - 10.5 nF
栅电荷 - - 120 nC
漏源极电压(Vds) 30 V 30 V 30 V
漏源击穿电压 - 30 V 30.0 V
栅源击穿电压 - - ±20.0 V
连续漏极电流(Ids) 80A 80A 80.0 A
上升时间 6.4 ns 18 ns 185 ns
输入电容(Ciss) 4000pF @15V(Vds) 4040pF @25V(Vds) 10500pF @15V(Vds)
额定功率(Max) - - 187 W
下降时间 5.4 ns 46 ns 200 ns
工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃ 175 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ 55 ℃ -65 ℃
耗散功率(Max) 94 W 110W (Tc) 187W (Tc)
额定功率 94 W - -
通道数 - 1 -
长度 10.31 mm 6.6 mm 10.97 mm
宽度 9.45 mm 2.4 mm 9.65 mm
高度 4.57 mm 6.9 mm 4.83 mm
封装 TO-263 TO-251-3 TO-263-3
工作温度 -55℃ ~ 175℃ 175℃ (TJ) -65℃ ~ 175℃ (TJ)
产品生命周期 Active Not Recommended for New Designs Active
包装方式 Tape & Reel (TR) Tube Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC No SVHC
REACH SVHC版本 2015/12/17 2015/12/17 2015/06/15
ECCN代码 - - EAR99