FDMS3662和IRFH5210TRPBF

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 FDMS3662 IRFH5210TRPBF BSC160N10NS3 G

描述 FDMS3662 系列 100 V 14.8 mOhm N 沟道 Power Trench Mosfet - Power 56INFINEON  IRFH5210TRPBF  晶体管, MOSFET, N沟道, 55 A, 100 V, 0.0126 ohm, 10 V, 4 V 新INFINEON  BSC160N10NS3 G  晶体管, MOSFET, N沟道, 42 A, 100 V, 0.0139 ohm, 10 V, 2.7 V

数据手册 ---

制造商 Fairchild (飞兆/仙童) Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 8 8 8

封装 Power-56 PowerVDFN-8 TDSON-8

针脚数 8 8 8

漏源极电阻 0.0114 Ω 0.0126 Ω 0.0139 Ω

极性 N-Channel N-Channel N-Channel

耗散功率 104 W 104 W 60 W

阈值电压 3.5 V 4 V 2.7 V

漏源极电压(Vds) 100 V 100 V 100 V

连续漏极电流(Ids) 8.9A 10A -

上升时间 15 ns 9.7 ns 15 ns

输入电容(Ciss) 4620pF @50V(Vds) 2570pF @25V(Vds) 1700pF @50V(Vds)

额定功率(Max) 2.5 W 3.6 W 60 W

下降时间 6 ns 6.5 ns 5 ns

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 2.5W (Ta), 104W (Tc) 3.6W (Ta), 104W (Tc) 60000 mW

额定功率 - 3.6 W -

长度 5 mm - 5.9 mm

宽度 6 mm - 5.15 mm

高度 1.05 mm - 1.27 mm

封装 Power-56 PowerVDFN-8 TDSON-8

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC - No SVHC

REACH SVHC版本 2015/06/15 2015/12/17 2015/12/17

ECCN代码 - - EAR99

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