对比图
型号 SI7812DN-T1-E3 SI7812DN-T1-GE3 FDMC8622
描述 VISHAY SI7812DN-T1-E3 晶体管, MOSFET, N沟道, 16 A, 75 V, 0.031 ohm, 10 V, 2.3 VVISHAY SI7812DN-T1-GE3 场效应管, MOSFET, N沟道, 75V, 16A POWERPAKFAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDMC8622 晶体管, MOSFET, N沟道, 16 A, 100 V, 0.0437 ohm, 10 V, 2.9 V
数据手册 ---
制造商 Vishay Semiconductor (威世) Vishay Semiconductor (威世) Fairchild (飞兆/仙童)
分类 MOS管MOS管MOS管
引脚数 8 8 8
封装 1212 1212 Power-33-8
安装方式 - - Surface Mount
针脚数 8 8 8
漏源极电阻 0.031 Ω 0.046 Ω 0.0437 Ω
极性 N-Channel N-Channel N-Channel
耗散功率 3.8 W 3.8 W 31 W
阈值电压 2.3 V 2.3 V 2.9 V
漏源极电压(Vds) 75 V 75 V 100 V
连续漏极电流(Ids) 16.0 A 16.0 A 4A
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃
输入电容(Ciss) 840pF @35V(Vds) - 402pF @50V(Vds)
工作温度(Min) -55 ℃ - -55 ℃
耗散功率(Max) 3800 mW - 2.5W (Ta), 31W (Tc)
通道数 - - 1
漏源击穿电压 - - 100 V
上升时间 - - 1.6 ns
下降时间 - - 2.2 ns
封装 1212 1212 Power-33-8
高度 1.04 mm - 0.75 mm
长度 - - 3.3 mm
宽度 - - 3.3 mm
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free - Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC - No SVHC
REACH SVHC版本 2015/06/15 - 2015/06/15
工作温度 -55℃ ~ 150℃ - -55℃ ~ 150℃ (TJ)
包装方式 Tape & Reel (TR) - Tape & Reel (TR)
产品生命周期 - - Active