对比图
型号 IPP60R600C6 SPD07N60C3 IPB60R600C6ATMA1
描述 INFINEON IPP60R600C6 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 7.3 A, 600 V, 0.54 ohm, 10 V, 3 VInfineon CoolMOS™C3 功率 MOSFET### MOSFET 晶体管，InfineonInfineon 庞大且全面的 MOSFET 设备组合包括 OptiMOS™ 与 CoolMOS™ 系列。 这些产品提供最新一代最先进功率 MOSFET 中的顶级性能Infineon CoolMOS C6 系列 Si N沟道 MOSFET IPB60R600C6ATMA1, 7.3 A, Vds=650 V, 3引脚 D2PAK (TO-263)封装
数据手册 ---
制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Through Hole Surface Mount Surface Mount
引脚数 3 3 3
封装 TO-220-3 TO-252-3 TO-263-3
针脚数 3 3 -
漏源极电阻 0.54 Ω 0.54 Ω -
极性 N-Channel N-Channel N-Channel
耗散功率 63 W 83 W 63 W
阈值电压 3 V 3 V -
漏源极电压(Vds) 600 V 650 V 600 V
连续漏极电流(Ids) 7.3A 7.30 A 7.3A
上升时间 9 ns 3.5 ns 9 ns
输入电容(Ciss) 440pF @100V(Vds) 790pF @25V(Vds) 440pF @100V(Vds)
额定功率(Max) 63 W - -
下降时间 13 ns 7 ns 13 ns
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 63W (Tc) 83 W 63 W
额定功率 - 83 W 63 W
额定电压(DC) - 650 V -
额定电流 - 7.30 A -
通道数 - 1 -
漏源击穿电压 - 600 V -
长度 10.36 mm 6.5 mm 10.31 mm
宽度 4.57 mm 6.22 mm 9.45 mm
高度 15.95 mm 2.3 mm 4.57 mm
封装 TO-220-3 TO-252-3 TO-263-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ -55℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Obsolete Not Recommended Not Recommended for New Designs
包装方式 Tube Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC -
REACH SVHC版本 2015/12/17 2015/12/17 -
ECCN代码 - EAR99 -