对比图
型号 STL65N3LLH5 STS10N3LH5 FDMS8880
描述 STMICROELECTRONICS STL65N3LLH5 晶体管, MOSFET, N沟道, 9.5 A, 30 V, 4.8 mohm, 10 V, 1 VN沟道30 V ， 0.019 I© ， 10 A ， SO - 8 STripFETâ ?? ¢ V功率MOSFET N-channel 30 V, 0.019 Ω, 10 A, SO-8 STripFET⢠V Power MOSFETN沟道MOSFET PowerTrench㈢ 30 V ， 21 A， 8.5米ヘ N-Channel PowerTrench㈢ MOSFET 30 V, 21 A, 8.5 mヘ
数据手册 ---
制造商 ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体) Fairchild (飞兆/仙童)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 8 8 8
封装 PowerVDFN-8 SOIC-8 Power-56-8
针脚数 8 - -
漏源极电阻 4.8 mΩ - -
极性 N-Channel - N-CH
耗散功率 60 W 2500 mW 2.5 W
阈值电压 1 V - -
漏源极电压(Vds) 30 V 30 V 30 V
连续漏极电流(Ids) 9.50 A - 13.5A
上升时间 14.5 ns 22 ns 6 ns
输入电容(Ciss) 1500pF @25V(Vds) 475pF @25V(Vds) 1585pF @15V(Vds)
额定功率(Max) 4 W - 2.5 W
下降时间 4.5 ns 2.8 ns 4 ns
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ -
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -
耗散功率(Max) 60W (Tc) 2.5W (Tc) 2.5W (Ta), 42W (Tc)
长度 4.75 mm - -
宽度 5.75 mm - -
高度 0.88 mm - -
封装 PowerVDFN-8 SOIC-8 Power-56-8
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Not Recommended for New Designs Active Active
包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC - -
REACH SVHC版本 2015/12/17 - -