2N7002ET1G和BSN254A

对比图

型号 2N7002ET1G BSN254A 2N7002E-T1-E3

描述 ON SEMICONDUCTOR  2N7002ET1G  晶体管, MOSFET, N沟道, 310 mA, 60 V, 0.86 ohm, 10 V, 1 VN沟道增强型垂直的D- MOS晶体管 N-channel enhancement mode vertical D-MOS transistorsVISHAY  2N7002E-T1-E3  场效应管, MOSFET, N沟道, 60V, 240mA TO-236, 整卷

数据手册 ---

制造商 ON Semiconductor (安森美) NXP (恩智浦) Vishay Semiconductor (威世)

分类 MOS管MOS管MOS管

引脚数 3 3 3

封装 SOT-23-3 SPT TO-236

安装方式 Surface Mount - Surface Mount

极性 N-Channel N-Channel N-Channel

耗散功率 420 mW 1.00 W 350 mW

漏源极电压(Vds) 60 V 250 V 60 V

连续漏极电流(Ids) 310 mA 0.31A 240 mA

针脚数 3 - 3

漏源极电阻 0.86 Ω - 3 Ω

阈值电压 1 V - 2 V

漏源击穿电压 - - 70.0 V

栅源击穿电压 - - ±20.0 V

输入电容(Ciss) 26.7pF @25V(Vds) - 21pF @5V(Vds)

工作温度(Max) 150 ℃ - 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ - -55 ℃

耗散功率(Max) 300 mW - 350 mW

无卤素状态 Halogen Free - -

通道数 1 - -

输入电容 26.7 pF - -

上升时间 1.2 ns - -

正向电压(Max) 1.2 V - -

额定功率(Max) 300 mW - -

下降时间 3.6 ns - -

封装 SOT-23-3 SPT TO-236

高度 0.94 mm - 1.02 mm

长度 2.9 mm - -

宽度 1.3 mm - -

产品生命周期 Active Unknown Unknown

包装方式 Tape & Reel (TR) - Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free - Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC - -

REACH SVHC版本 2015/12/17 - -

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) - -55℃ ~ 150℃

ECCN代码 EAR99 - -