对比图
型号 SI4425BDY-T1-E3 SI4425BDY-T1-GE3 SI4425DDY-T1-GE3
描述 VISHAY SI4425BDY-T1-E3 晶体管, MOSFET, P沟道, -8.8 A, -30 V, 0.01 ohm, -10 V, -400 mVVISHAY SI4425BDY-T1-GE3 场效应管, MOSFET, P沟道VISHAY SI4425DDY-T1-GE3 晶体管, MOSFET, P沟道, -19.7 A, -30 V, 8.1 mohm, -10 V, -1.2 V
数据手册 ---
制造商 Vishay Semiconductor (威世) Vishay Semiconductor (威世) Vishay Semiconductor (威世)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 8 8 8
封装 SOIC-8 SOIC SOIC-8
针脚数 8 8 8
漏源极电阻 0.01 Ω 19 mΩ 0.0081 Ω
极性 P-Channel P-Channel P-Channel
耗散功率 1.5 W 2.5 W 5.7 W
漏源极电压(Vds) -30.0 V -30.0 V -
连续漏极电流(Ids) -11.4 A -11.4 A -
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃
上升时间 13 ns - -
下降时间 53 ns - -
工作温度(Min) -55 ℃ - -
封装 SOIC-8 SOIC SOIC-8
长度 5 mm - -
宽度 3.9 mm - -
高度 1.55 mm - -
包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free - Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC - No SVHC
REACH SVHC版本 2015/06/15 - -
ECCN代码 - - EAR99
工作温度 -55℃ ~ 150℃ - -