对比图
型号 IRG4BC20SD-S IRG4BC20SD-SPBF IKP10N60T
描述 Trans IGBT Chip N-CH 600V 19A 60000mW 3Pin(2+Tab) D2PAK TubeTrans IGBT Chip N-CH 600V 19A 60000mW 3Pin(2+Tab) D2PAK TubeINFINEON IKP10N60T 单晶体管, IGBT, 通用, 20 A, 2.05 V, 110 W, 600 V, TO-220, 3 引脚
数据手册 ---
制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)
分类 IGBT晶体管IGBT晶体管IGBT晶体管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Through Hole
引脚数 - 3 3
封装 TO-263-3 TO-263-3 TO-220-3
额定功率 60 W 60 W 110 W
耗散功率 - 60 W 110 W
击穿电压(集电极-发射极) 600 V 600 V 600 V
反向恢复时间 37 ns 37 ns 115 ns
额定功率(Max) 60 W 60 W 110 W
工作温度(Max) - 150 ℃ 175 ℃
工作温度(Min) - -55 ℃ -40 ℃
耗散功率(Max) - 60000 mW 110 W
针脚数 - - 3
极性 - - N-Channel
长度 - 10.67 mm 10.36 mm
宽度 - 9.65 mm 4.57 mm
高度 - 4.83 mm 15.95 mm
封装 TO-263-3 TO-263-3 TO-220-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -40℃ ~ 175℃
产品生命周期 Obsolete Not Recommended for New Designs Active
包装方式 Tube Tube Tube
RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Contains Lead Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 - - No SVHC
REACH SVHC版本 - - 2015/12/17