对比图
型号 STB140NF75T4 STD6N95K5 IRF3808SPBF
描述 STB140NF75 系列 N 沟道 75 V 0.0075 Ω 160 nC STripFET™II MosFet - D2PAKSTMICROELECTRONICS STD6N95K5 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 9 A, 950 V, 1 ohm, 10 V, 4 VN沟道 75V 106A
数据手册 ---
制造商 ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体) International Rectifier (国际整流器)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 3 3 3
封装 TO-263-3 TO-252-3 TO-263-3
额定电压(DC) 75.0 V - 75.0 V
额定电流 120 A - 106 A
漏源极电阻 0.0065 Ω 1 Ω 7 mΩ
极性 N-Channel N-Channel N-Channel
耗散功率 310 W 90 W 200 W
阈值电压 4 V 4 V 4 V
漏源极电压(Vds) 75 V 950 V 75 V
漏源击穿电压 75.0 V - 75 V
栅源击穿电压 ±20.0 V - -
连续漏极电流(Ids) 120 A 9A 106 A
上升时间 140 ns 12 ns 140 ns
输入电容(Ciss) 5000pF @25V(Vds) 450pF @100V(Vds) 5310pF @25V(Vds)
额定功率(Max) 310 W 90 W 200 W
下降时间 90 ns 21 ns -
工作温度(Max) 175 ℃ 150 ℃ 175 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 310W (Tc) 90W (Tc) -
针脚数 - 3 -
输入电容 - 450 pF 5310pF @25V
产品系列 - - IRF3808S
长度 10.4 mm - 10.67 mm
宽度 9.35 mm - -
高度 4.6 mm - 4.83 mm
封装 TO-263-3 TO-252-3 TO-263-3
工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃
产品生命周期 Active Active Active
包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC No SVHC
REACH SVHC版本 2015/12/17 2015/12/17 2014/12/17
ECCN代码 EAR99 EAR99 -