对比图
型号 MMBT5551 MMBT5551LT1G MMBT5551LT3G
描述 高电压晶体管 High Voltage TransistorsON SEMICONDUCTOR MMBT5551LT1G 单晶体管 双极, 通用, NPN, 160 V, 225 mW, 600 mA, 80 hFENPN 晶体管，最大 1A，On Semiconductor### 标准Manufacturer Part Nos with S or NSV prefix are automotive qualified to AEC-Q101 standard.### 双极性晶体管，On SemiconductorON Semiconductor 的各种双极晶体管，包括以下类别：小信号晶体管 通用晶体管 双 NPN 和 PNP 晶体管 功率晶体管 高电压晶体管 射频双极晶体管 低噪声，双匹配和复杂的双极晶体管
数据手册 ---
制造商 ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美)
分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 3 3 3
封装 SOT-23-3 SOT-23-3 SOT-23-3
额定电压(DC) 160 V 160 V 160 V
额定电流 600 mA 600 mA 600 mA
额定功率 - 0.225 W 225 mW
针脚数 3 3 -
极性 NPN NPN NPN
耗散功率 350 mW 225 mW 225 mW
击穿电压(集电极-发射极) 160 V 160 V 160 V
集电极最大允许电流 - 0.6A 0.6A
最小电流放大倍数(hFE) 80 @10mA, 5V 80 @10mA, 5V 80 @10mA, 5V
最大电流放大倍数(hFE) - 250 -
额定功率(Max) 350 mW 225 mW 225 mW
直流电流增益(hFE) 80 80 80
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 350 mW 300 mW 225 mW
频率 300 MHz - -
长度 2.92 mm 2.9 mm 3.04 mm
宽度 1.3 mm 1.3 mm 2.64 mm
高度 0.93 mm 0.94 mm 1.11 mm
封装 SOT-23-3 SOT-23-3 SOT-23-3
材质 - Silicon Silicon
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Active Active Active
包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC -
REACH SVHC版本 - 2015/12/17 2015/12/17
ECCN代码 - EAR99 EAR99