对比图
型号 FDS6975 FDS9926A STS4DPF30L
描述 FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDS6975 双路场效应管, MOSFET, 双P沟道, 6 A, -30 V, 0.025 ohm, -10 V, -1.7 VFAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDS9926A 双路场效应管, MOSFET, 双N沟道, 6.5 A, 20 V, 0.025 ohm, 4.5 V, 1 VSTMICROELECTRONICS STS4DPF30L 双路场效应管, MOSFET, 双P沟道, -4 A, -30 V, 0.07 ohm, 10 V, 1 V
数据手册 ---
制造商 Fairchild (飞兆/仙童) Fairchild (飞兆/仙童) ST Microelectronics (意法半导体)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 8 8 8
封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8
额定电压(DC) -30.0 V 20.0 V -30.0 V
额定电流 -6.00 A 6.50 A -4.00 A
通道数 2 2 2
针脚数 8 8 8
漏源极电阻 0.025 Ω 0.025 Ω 0.07 Ω
极性 P-Channel, Dual P-Channel Dual N-Channel P-Channel
耗散功率 2 W 2 W 2 W
输入电容 1.54 nF 650 pF -
栅电荷 14.5 nC 6.20 nC -
漏源极电压(Vds) 30 V 20 V 30 V
栅源击穿电压 ±20.0 V ±10.0 V ±16.0 V
连续漏极电流(Ids) -6.00 A 6.50 A 4.00 A
上升时间 22 ns 9 ns 35 ns
输入电容(Ciss) 1540pF @15V(Vds) 650pF @10V(Vds) 1350pF @25V(Vds)
额定功率(Max) 900 mW 900 mW 2 W
下降时间 18 ns 4 ns 35 ns
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 2 W 2000 mW 2000 mW
阈值电压 - 1 V 1 V
漏源击穿电压 - 20 V 30 V
长度 5 mm 5 mm 5 mm
宽度 3.9 mm 4 mm 4 mm
高度 1.5 mm 1.5 mm 1.25 mm
封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ -55℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Unknown Active Not Recommended for New Designs
包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC No SVHC
REACH SVHC版本 2015/06/15 2015/06/15 2015/12/17
ECCN代码 EAR99 EAR99 -
香港进出口证 - NLR -