对比图
型号 STI8N65M5 STU8N65M5 STU5N95K3
描述 N沟道650 V， 0.56 Ω ， 7的的MDmesh ？ V功率MOSFET N-channel 650 V, 0.56 Ω, 7 A MDmesh? V Power MOSFETN 通道 MDmesh™ M5 系列，STMicroelectronicsMDmesh M5 功率 MOSFET 优化用于高功率 PFC 和 PWM 拓扑。 主要特征包括每硅面积的低通态损耗硅片面积与低栅极电荷。 它们设计用于节能、紧凑型且可靠的硬切换应用，例如太阳能转换器、消费产品电源和电子照明控制。### MOSFET 晶体管，STMicroelectronicsSTMICROELECTRONICS STU5N95K3 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 4 A, 950 V, 3 ohm, 10 V, 4 V
数据手册 ---
制造商 ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole
引脚数 3 3 3
封装 TO-262-3 TO-251-3 TO-251-3
极性 N-Channel N-Channel N-Channel
耗散功率 70 W 70 W 90 W
漏源极电压(Vds) 650 V 650 V 950 V
上升时间 14 ns 14 ns 7 ns
输入电容(Ciss) 690pF @100V(Vds) 690pF @100V(Vds) 460pF @25V(Vds)
下降时间 11 ns 11 ns 18 ns
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 70W (Tc) 70W (Tc) 90W (Tc)
漏源极电阻 - 0.56 Ω 3 Ω
阈值电压 - 4 V 4 V
额定功率(Max) - 70 W -
针脚数 - - 3
漏源击穿电压 - - 950 V
封装 TO-262-3 TO-251-3 TO-251-3
长度 - 6.6 mm 6.6 mm
宽度 - 2.4 mm 2.4 mm
高度 - 6.9 mm 6.9 mm
材质 Silicon Silicon -
工作温度 150℃ (TJ) 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃
产品生命周期 Not Recommended for New Designs Not Recommended for New Designs Active
包装方式 Tube Tube Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free PB free Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC No SVHC
REACH SVHC版本 - 2015/12/17 2015/12/17
ECCN代码 - - EAR99