IPB60R520CP和IPB60R600CP

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IPB60R520CP IPB60R600CP IPB60R600C6ATMA1

描述 的CoolMOS功率晶体管 CoolMOS Power TransistorINFINEON  IPB60R600CP  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 6.1 A, 650 V, 0.54 ohm, 10 V, 3 VInfineon CoolMOS C6 系列 Si N沟道 MOSFET IPB60R600C6ATMA1, 7.3 A, Vds=650 V, 3引脚 D2PAK (TO-263)封装

数据手册 ---

制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 3 3 3

封装 TO-263-3 TO-263-3 TO-263-3

通道数 1 1 -

针脚数 - 3 -

漏源极电阻 0.47 Ω 0.54 Ω -

极性 N-Channel N-Channel N-Channel

耗散功率 66 W 60 W 63 W

阈值电压 3 V 3 V -

漏源极电压(Vds) 650 V 600 V 600 V

连续漏极电流(Ids) 6.80 A 6.10 A 7.3A

上升时间 12 ns 12 ns 9 ns

输入电容(Ciss) - 550pF @100V(Vds) 440pF @100V(Vds)

额定功率(Max) - 60 W -

下降时间 16 ns 17 ns 13 ns

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

漏源击穿电压 600 V - -

工作温度(Min) 55 ℃ - -55 ℃

额定功率 - - 63 W

耗散功率(Max) - - 63 W

长度 10 mm 10 mm 10.31 mm

宽度 9.25 mm 9.45 mm 9.45 mm

高度 4.4 mm 4.4 mm 4.57 mm

封装 TO-263-3 TO-263-3 TO-263-3

工作温度 -55℃ ~ 150℃ -55℃ ~ 150℃ -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Obsolete Obsolete Not Recommended for New Designs

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC -

REACH SVHC版本 2015/12/17 2015/12/17 -

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