BD679AS和MJE802G

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 BD679AS MJE802G MJE803G

描述 达林顿晶体管 NPN Epitaxial SilON SEMICONDUCTOR  MJE802G.  双极晶体管ON SEMICONDUCTOR  MJE803G  双极晶体管

数据手册 ---

制造商 Fairchild (飞兆/仙童) ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美)

分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 3 3 3

封装 TO-126-3 TO-225-3 TO-126-3

额定电压(DC) 80.0 V 80.0 V 80.0 V

额定电流 4.00 A 4.00 A 4.00 A

无卤素状态 - Halogen Free Halogen Free

针脚数 - 3 3

极性 NPN NPN NPN

耗散功率 40 W 40 W 40 W

击穿电压(集电极-发射极) 80 V 80 V 80 V

集电极最大允许电流 4A 4A 4A

最小电流放大倍数(hFE) 750 @2A, 3V 750 @1.5A, 3V 750 @2A, 3V

额定功率(Max) 40 W 40 W 40 W

直流电流增益(hFE) 750 100 750

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -65 ℃ -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 40000 mW 40000 mW 40000 mW

输出电压 - 80 V -

输出电流 - 4 A -

输入电压 - 5 V -

封装 TO-126-3 TO-225-3 TO-126-3

长度 8 mm 7.8 mm -

宽度 3.25 mm 2.66 mm -

高度 11.2 mm - -

工作温度 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Bulk Bulk Box

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC版本 2015/06/15 2015/12/17 2016/06/20

REACH SVHC标准 No SVHC - -

ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99

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