FJP13007H1TU和MJE13007G

对比图

型号 FJP13007H1TU MJE13007G PHE13007

描述 高压开关模式的应用 High Voltage Switch Mode ApplicationON SEMICONDUCTOR  MJE13007G  单晶体管 双极, 通用, NPN, 400 V, 14 MHz, 80 W, 8 A, 4 hFE硅扩散型功率晶体管 Silicon Diffused Power Transistor

数据手册 ---

制造商 Fairchild (飞兆/仙童) ON Semiconductor (安森美) NXP (恩智浦)

分类 双极性晶体管双极性晶体管晶体管

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3

引脚数 3 3 -

额定电压(DC) 400 V 400 V 700 V

额定电流 8.00 A 8.00 A 8.00 A

击穿电压(集电极-发射极) 400 V 400 V 400 V

最小电流放大倍数(hFE) 15 @2A, 5V 5 @5A, 5V 8 @2A, 5V

额定功率(Max) 80 W 80 W 80 W

频率 4 MHz 14 MHz -

极性 NPN NPN -

耗散功率 80 W 80 W -

集电极最大允许电流 8A 8A -

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ -

工作温度(Min) -65 ℃ -65 ℃ -

耗散功率(Max) 80000 mW 80000 mW -

针脚数 - 3 -

上升时间 - 1.5 µs -

热阻 - 1.56℃/W (RθJC) -

直流电流增益(hFE) - 4 -

下降时间 - 0.7 µs -

封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3

长度 10.67 mm 10.28 mm -

宽度 4.83 mm 4.82 mm -

高度 9.4 mm 15.75 mm -

产品生命周期 Active Active Unknown

包装方式 Tube Tube Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - No SVHC -

REACH SVHC版本 - 2015/12/17 -

工作温度 150℃ (TJ) -65℃ ~ 150℃ -

材质 - Silicon -

ECCN代码 EAR99 EAR99 -